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首頁>產(chǎn)品中心>>RS485通訊電纜>ASTP-120 2*2.5RS485通訊電纜ASTP-120屏蔽雙絞線

RS485通訊電纜ASTP-120屏蔽雙絞線

簡要描述:

RS485通訊電纜ASTP-120屏蔽雙絞線RS-485通訊電纜在一般場合采用雙絞線就可以癞埠,但在要求比較高的環(huán)境下可以采用帶屏蔽層的雙絞電纜。在使用RS485通訊時承副,對于特定的傳輸線路默言,主機(召測設(shè)備)到儀表的485口間的電纜長度與數(shù)據(jù)信號傳輸?shù)牟ㄌ芈食煞幢冉茄辏贿@個長度主要受信號的失真以及噪聲的影響所影響。

更新時間:2024-01-26

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RS485通訊電纜ASTP-120屏蔽雙絞線

RS485通訊電纜ASTP-120屏蔽雙絞線RS485通訊電纜ASTP-120屏蔽雙絞線

我廠靠科技創(chuàng)業(yè),樹銀順品牌端葵,贏得了廣大用戶的支持和信賴众凝。公司主要產(chǎn)品有:礦用電纜公垒、電力電纜新框、無鹵低煙阻燃電力電纜、變頻電力電纜队魏、通信電源用阻燃耐火軟電纜公般、塑料絕緣控制電纜、無鹵低煙阻燃控制電纜胡桨、橡套軟電纜官帘、扁電纜、電焊機電纜昧谊、潛水電機用防水橡套軟電纜刽虹、計算機電纜、塑電線電纜呢诬、低煙無鹵電線和各種電纜電線涌哲。

一、RS485電纜型號規(guī)格及參數(shù)型號規(guī)格尚镰,導(dǎo)體結(jié)構(gòu) 導(dǎo)體直徑 絕緣標稱厚度 緣外徑 成纜后外徑 編制及屏蔽后外徑 護套厚度及外徑
二阀圾、RS485電纜主要技術(shù)要求
1
、導(dǎo)體:采用多股鍍錫銅絲絞和導(dǎo)體狗唉。導(dǎo)體表面無油污初烘、無灰塵等缺陷。導(dǎo)體直流電阻要符合標準規(guī)定音哟。
2
貌授、絕緣:采用普通PVC絕緣料擠包,絕緣表面需光滑圓整犯渣,不得有自然收縮現(xiàn)象势嫁,絕緣線芯直徑應(yīng)嚴格按本工藝生產(chǎn)厂跋,絕緣線芯分色根據(jù)客戶需求。
3
谨寂、將絕緣線芯絞和成纜猫降,成纜外徑要圓整,節(jié)距均勻一致脆携,線芯外用聚酯帶重疊繞包扎緊淫沧。
4
、加7/0.15鍍錫絲作引流地線瞭核,然后加鋁塑復(fù)合帶中包院抛。
5
、編織:采用鍍錫編織屏蔽绎蒙,屏蔽密度一般為60%或者80%染突,編織層要求光滑、無毛刺辈灼、無漏編份企、無油污等明顯質(zhì)量缺陷。
6
巡莹、護套:采用普通紫色PVC護套料擠包司志,護套表面光滑、圓整降宅。
7
骂远、印字:護套印型號規(guī)格(RS458 1*2*24AWG;印字清晰耐擦,印字:白色腰根。(如有特殊需要由需方提供)
三激才、 RS485電纜適用特性
1
、兼顧傳輸音頻信號和固定敷設(shè)的鐵路信號额嘿。
2
瘸恼、抗干擾性能優(yōu)異。
3
岩睁、既能分開單對使用钞脂,也能多對同時使用,傳輸多路信號特別優(yōu)異湖生。
4
狡煎、可部分傳輸動力、 鐵路信號電纜的使用特性與結(jié)構(gòu)

存放電纜澳敞,需注意幾下幾點:

 1.新進的整盤電纜在出廠時瞧纹,其兩頭均使用塑料密封套封住,但在施工現(xiàn)場根據(jù)實際情況用去一段之后,剩下的部分就用塑料布簡單包扎一下斷口澳券,由于平時露天擺放且密封不好但治,日子一久,難免就會有水汽滲入電纜乎渊。
2.
電纜敷設(shè)時习诬,需要經(jīng)常穿越道路、橋梁和涵洞等崩蚀,由于天氣或其他原因零短,電纜溝內(nèi)也時常積聚了許多的水,敷設(shè)過程中涎拉,不可避免的會出現(xiàn)電纜頭浸在水中的情況瑞侮,因塑料布包扎不嚴或破損而使水進入電纜;另外在牽引和穿管時鼓拧,有時也會發(fā)生外護套甚至鋼鎧被刮壞現(xiàn)象半火,當使用機械牽引時,這種現(xiàn)象尤為突出.
3.
電纜敷設(shè)完成后季俩,因現(xiàn)場施工條件限制未能及時進行電纜頭制作钮糖,使未經(jīng)密封處理的電纜斷口長期暴露在空氣中,甚至浸在水中种玛,使水汽大量進入電纜藐鹤。
4.
在電纜頭制作過程中(包括終端頭和中間接頭)瓤檐,由于施工人員的疏忽大意赂韵,新處理的電纜端頭有時會不小心掉入現(xiàn)場的積水中。
5.
電線電纜正常運行中挠蛉,如果因某種原因發(fā)生擊穿等故障時祭示,電纜溝中的積水便會沿著故障點進入電纜內(nèi)部;在土建施工中谴古,尤其是在使用大型建筑機械的建筑工地质涛,因各種人為因素而引起的電纜破損或擊穿事故,也屢見不鮮少镇。當發(fā)生此類事故時胯炊,電纜絕緣遭嚴重破壞,也會造成電纜進水效荷。電纜進水后回东,在電場的作用下,會發(fā)生水樹老化現(xiàn)象密士,最后導(dǎo)致電纜擊穿成吓。水樹是直徑在0.1m到幾微米充滿水的空隙集合。絕緣中存在的雜質(zhì)、氣孔及絕緣與內(nèi)外半導(dǎo)電層結(jié)合面的不均勻處所形成的局部高電場部位是發(fā)生水樹的起點切咸。


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